高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发，通过3D结构，大幅度增加了电极面积，从而提高了给定面积的电容量。

这种先进的3D拓扑结构提供了一个出色的有源电容面积，相当于80个陶瓷层，厚度为100微米。由于一个非常线性和低色散的介质，小型化，电容值和电气性能进行了优化。这在要求应用在更小的封装中具有更高的性能。

消费市场中，基于3D硅架构的独特技术能够将去耦电容直接放置在处理器旁边，硅基可提供超低厚度和超低ESL，手机制造商采用硅基电容以确保快速处理和超薄系统。

在5G基站中，硅基电容以高电容能力、电容值的稳定性增加RFPA应用基带性能和改善功率放大器的线性度。

在新能源汽车市场，硅电容器技术带来了更多的功能，例如激光雷达和高压应用，硅基电容器或硅基电容器阵列具有超低ESL和ESR，允许长距离LIDAR具有更高的功率峰值和更短的脉冲宽度。 

在航空航天领域，超宽温的产品可应用在航天器中。

由于更小的尺寸和更薄的厚度，这对精确表征硅基电容带来了严峻挑战，和创联合科技基于高频高速测试的经验，推出了针对硅基电容测量的平台，包含了硬件（包含高频校准去嵌入夹具单元，）、软件（S参数转Z参数模块）以及矢量网络分析仪的控制模块，无论您是在片测量还是切割后的单die测量都有完整的解决方案应对。