氮化镓功率半导体器件因其材料特性可工作于更高的电压应力、更快的开关频率，具有更大的温度容限，更适用于高频、高功率密度的应用场合。其在实际应用中也存在一系列的可靠性问题和挑战，其中以电流崩塌效应最为显著。该效应在器件具体参数上表现为动态导通电阻。

我们采用boost电路升压，为GaN提供一个变化的电场，通过测量完整周期的VDS和ID就能计算除整个周期RDS的变化了。目前支持的电压500V、脉冲电流10A。支持封装器件和晶圆级的半导体功率器件。